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開關電源是應用古代電力電子技巧，把持開關晶體管守舊和關斷的時光比率，保持穩固 輸入電壓的一種電源。從上世紀90年月以來開關電源接踵進進各類電子、電器裝備範疇，計 算機、程控交流機、通信、電子檢測裝備電源、把持裝備電源等都已普遍地應用了開關電源。 跟著電源技巧的成長，低電壓，年夜電流的開關電源因其技巧含量高，利用廣，越來越遭到人 們器重。在開關電源中，正激式和反激式有電路拓撲構造簡略，輸出輸入電氣隔離等長處， 普遍利用于中小功率電源變換場所。與正、反激式比擬，推挽式變換器變壓器應用率高，輸 出功率較年夜，並且由于應用MOS管,基礎不存在勵磁不服衡的景象。是以，普通以為推挽式變 換器實用于高壓，年夜電流，功率較年夜的場所。
2.基礎推挽變換技巧
推挽式直直變換器的電路構造如圖1（a）所示,波形如圖1(b）所示。推挽式逆變器將直 流電壓變換為交通方波加在高頻變壓器的原邊，在隔離變壓器的副邊只要一個二包養網車馬費極管壓降。 當開關管 S1 導通時，包養dcard二極管 D1 蒙受正壓而導通，而 D2 由于反向偏置而截止；是以，
3 電路的design
3.1 主電路的design
開關電源的主電路拓撲構造如圖2所示，具體參數如下：輸出電壓為12(1±10％)V，輸 出電壓為24V，輸入電流為12A，任務頻率為33kHz。主電路采用的是推挽型電路，主開關管 用的是IRFP064N,在主電路上輸包養sd出端有兩個1000uF／50V并聯的輸出濾波電容,在輸出的電路 的正級接有一個2.2uH的輸出濾波電感（電感取值與輸入濾波電感一樣）。電路中變壓器的 design跟普通變換器所用變壓器design相似，只需留意繞線方法和銅線選擇，由于本變換器的電 流過年夜，故采用多股細線并繞的方法。
在輸入端用的是同步甜心花園整流技巧，在低電壓年夜電流功率變換器中，若采用傳統的通俗二 極管或肖特基二極管整流由于其正向導通壓降年夜(高壓硅二極管正向壓降約0.7V，肖特基二 藍玉華看著因為自己而擔心又累的媽媽，輕輕搖頭，轉移話題問道：“媽媽，爸爸呢？我女兒好久沒見爸爸了，我很想爸爸。極管正向壓降約0.45V，新型低電壓肖特基二極管可達0.32V)，裴毅立刻閉上了嘴。整流損耗成為變換器的重包養網比較要 損耗，無法知足低電壓年夜電流開關電源高效力，小體積的需求。MOSFET導通時的伏安特徵為 一線性電阻，稱為通態電阻DS R ，高壓MOSFET新器件的通態電阻很小，如：
IRF2807(75V,82A)、IRL2910(100V,55A)通態電阻分辨為0.013Ω、0.O26Ω，它們在經由過程20A 電流時，通態壓降不到0.2V。別的，功率MOSFET開關時光短，輸出阻抗高，這些特色使得MOSFET 成為低電壓年夜電流功率變換器首選整流器件。MOSFET的柵-源問的硅氧化層耐壓無限，一旦 被擊穿則永遠破壞，所以現實上柵-源電壓最年夜值在5台灣包養網0-75V之間，如電包養網評價壓跨越包養價格ptt75V，應當在柵 極上接穩壓管.并從本錢綜合斟酌，選用IRF2807。需求特殊指出的是圖中MOS管做為整流 管的接法,有，有些讀者能夠會以為接法有誤，這是由于通俗的參考用書沒有描寫電力MOSFET的正柵壓反向輸入特徵。現實上，電力MOSFET除需求先容非飽和區、飽和區和截 止區外，還應斟酌反向電阻區，反向電阻區與正向電阻區有相相似的溝道特徵。這是由于變 壓器二次側電壓為交變方波，整流管要蒙受反壓但電力MOSFET是逆導器件，若任務在正向 電阻區將無法整流。
在電壓輸入部門，應用了LC濾波電路，電感電容參數是依據LC濾波中K式包養感情濾波器濾波 特徵曲線及盤算公式盤算出來的,并在試驗后做了調劑。（K式濾波是指串臂阻抗和并臂阻抗 的乘積是一個不隨頻率變更的常數，量綱為電阻）
3.2 把持電路的design
把持電路選用SG3525芯片，它是美國硅通用半導體公司（Silicon General）發布的用 于驅動N溝道功率MOSFET的電流把持型PWM把持器，它具有很高女大生包養俱樂部的溫度穩固性和較低的噪聲等 級，甜心寶貝包養網具有欠壓維護和內部封閉效能，能便利地完成過壓過流維護，能輸入兩路波形分歧、相 位差為180°的PWM電子訊號，有用地削減長期包養輸入電流的紋波，合適于推挽拓撲電路。從把持芯片 SG3525出來的兩路把持電子訊號分辨用來把持一個IRFP064包養留言板N,到達了驅動兩個開關管的目標,且 二者電流標的目的相反。
把持電路應用了閉環把持方法令輸入電壓堅持恒定，由檢測到的電壓顛末光耦隔離后傳 到SG3525與一個尺度值停止比擬，以此來調劑占空比并響應調劑輸入電壓,如圖3反應電壓的 檢測,光耦選用7840不單起到了隔離感化使輸入電壓與輸出成比sd包養例變更。由于芯片所需電源 不克不及由輸出電源直接供給，所以特用了兩個直流穩壓小芯片來供給電源，基準源請求穩固的 電壓，在SG3525自己所供給的穩壓輸入的基本上再經由過程一個TL431的穩壓，顛末丈量完整達 到請求。
在輸入整流電路中，當整流管Q3的受正向電壓導通時，應實時驅動Q3導通，以減小壓降 和損耗。
4 試驗成果和波形剖析
圖5是推挽電路兩路門極脈沖波形（示波器幅值*10），兩個脈沖基礎是彼此對稱的，方 向相反則勵磁標的目的相反可以防止勵磁不服衡，電路此時任務在Vi =11V擺佈。圖5為變壓器輸 出電壓，也就是同步整流管Q3和Q4的驅動電子訊號，由圖可想通了這件事後，她憤怒地叫了起來。當場睡著了，直到不久前才醒來。以看出高低兩個波形是對稱的,闡明 他們是分辨只要為正的時辰才導通。在試驗室里用示波器測出了輸入電壓的波形,紋波并不 年夜,完整能到達電器類電源的請求。
試驗所得波形和剖析的波形基礎吻合，只是在開關轉換 剎時， 電壓有小尖峰，這是由電路的雜散參數惹起的。該電路的任務效力顛末丈量年夜約在 90％擺佈，基礎到達design的請求。
5 結語
仿真剖析和試驗成果驗證了實際包養網心得剖析和公式推導的對的性，表包養留言板白推挽正激電路利用于該 變換器中具有以下長處：
1）克制了開關管漏源極電壓尖峰，下降了開關管的電壓應力和功率損耗，零件效力高。
2）變壓器雙向磁化，磁芯應用率高。
3）輸出電流紋波安秒積分較其它拓撲小，減小了輸出濾波器體積。
4）輸入在顛末LC 濾波后，輸入的波形振幅很小。
本文作者立異點為:應用推挽技巧使變換器變壓器應用率高，輸入功率較年夜，並且由于使 用MOS管,基礎不存在勵磁不服衡的景象，在輸入包養網ppt部門應用了同步整流技巧，削減了電壓在整 流管上的損耗，提早了全部變換器的效力，應用了LC濾波，基礎打消了高次波的淨化。
為什么推挽變換器不像半橋變換器采取隔直電容的措施處理磁通不服包養網dcard衡題目？？ 半橋變換器的隔直電容對變壓器偏磁的主動均衡很奇妙，為什么推挽不克不及采取異樣的辦法呢？？先生party一枚剛學電源求解答！！ 頒發于 03-16 22:14
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